光敏二極管與半導(dǎo)體二極管在結(jié)構(gòu)上是類似的,其管芯是一個(gè)具有光敏特征的PN結(jié),具有單向?qū)щ娦?,因此工作時(shí)需加上反向電壓。無(wú)光照時(shí),有很小的飽和反向漏電流,即暗電流,此時(shí)光敏二極管截止。當(dāng)受到光照時(shí),飽和反向漏電流大大增加,形成光電流,它隨入射光強(qiáng)度的變化而變化。光敏二極管結(jié)構(gòu)見下圖。
光敏二極管的檢測(cè)電路——工具/原料光敏二極管、穩(wěn)壓電源、負(fù)載電阻、遮光罩、光源、電壓表 (自備4 1/2位萬(wàn)用表)、微安表。
光敏二極管的檢測(cè)電路——方法/步驟光敏二極管的檢測(cè)電路 1、
按下圖接線,注意光敏二極管是工作在反向工作電壓的。由于硅光敏二極管的反向工作電流非常小,所以應(yīng)提高工作電壓,可用穩(wěn)壓電源上的+10V。
光敏二極管的檢測(cè)電路 2、
暗電流測(cè)試:
用遮光罩蓋住光電器件模板,電路中反向工作電壓接±12V,打開電源,微安表顯示的電流值即為暗電流,或用4 1/2位萬(wàn)用表200mV 檔測(cè)得負(fù)載電阻 RL 上的壓降 V 暗,則暗電流 L暗=V 暗/RL。一般鍺光敏二極管的暗電流要大于硅光敏二極管暗電流數(shù)十倍??稍谠嚰遄细鼡Q其他光敏二極管進(jìn)行測(cè)試比較。
光敏二極管的檢測(cè)電路 3、
光電流測(cè)試:
取走遮光罩,讀出微安表上的電流值,或是用4 1/2位萬(wàn)用表200mv 檔測(cè)得 RL 上的壓降V光,光電流L光=V光/RL。
光敏二極管的檢測(cè)電路 4、
靈敏度測(cè)試:
改變儀器照射光源強(qiáng)度及相對(duì)于光敏器件的距離,觀察光電流的變化情況。

光敏二極管的檢測(cè)電路 5、
光譜特性測(cè)試:
不同材料制成的光敏二極管對(duì)不同波長(zhǎng)的入射光反應(yīng)靈敏度是不同的。由下圖可以看出,硅光敏二極管和鍺光敏二極管的響應(yīng)峰值約在80~100μm,試用附件中的紅外發(fā)射管、各色發(fā)光 LED、光源光、激光光源照射光敏二極管,測(cè)得光電流并加以比較。
本實(shí)驗(yàn)中暗電流測(cè)試最高反向工作電壓受儀器電壓條件限制定為 ±12V(24V),硅光敏二極管暗電流很小,不易測(cè)得。
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