愛華網(wǎng)李嗣涔（1952年8月13日－），出生于臺灣，祖籍河南省濟源市，臺灣大學校長，是臺灣地區(qū)電機工程學學者，主要研究半導體領(lǐng)域，為臺灣地區(qū)早期研究非晶矽的學者，并為國際電機電子工程學會會士(IEEEFellow)，在該領(lǐng)域有一定聲望。曾應臺灣地區(qū)“國家科學委員會主委”陳履安等人的邀請轉(zhuǎn)入氣功、特異功能方面的研究，而使其學術(shù)地位充滿爭議性。
李嗣涔_李嗣涔 -個人簡介
李嗣涔，祖籍河南省
濟源市，臺灣大學校長。是
臺灣地區(qū)電機工程學學者，主要研究半導體領(lǐng)域，為臺灣地區(qū)早期研究非晶矽的學者，并為國際電機電子工程學會會士(IEEE Fellow)，在該領(lǐng)域有一定聲望。后來應臺灣地區(qū)“國家科學委員會主委”
陳履安等人的邀請轉(zhuǎn)入氣功、特異功能方面的研究，而使其學術(shù)地位充滿爭議性。
李嗣涔
李嗣涔為
臺灣大學電機系、電子所固態(tài)組、電機所醫(yī)工組教授，并擔任幾個社團的指導教授，先后有臺大星艦學院、臺大特異功能社。在臺大校務(wù)行政方面，其于1996年到2002年間擔任“國立”臺灣大學教務(wù)長，2005年通過臺灣地區(qū)“教育部”遴選，擔任“國立”臺灣大學校長。
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李嗣涔_李嗣涔 -個人履歷
李嗣涔，1974年畢業(yè)于“國立”臺灣大學(臺大)電機系學士班，并于1977年及1980年于
美國斯坦福大學電機系分別取得碩士及博士學位，主要研究 GaAs/AlGaAs異質(zhì)接面元件的研究。 1980年到1982年間于Energy Conversion Devices Inc. 工作，從事非晶矽太陽電池的開發(fā)，李嗣涔先生于1982年返臺，于臺大電機系擔任
副教授。
主要學歷1974.6 臺大電機系 學士
1977.6 美國史丹福大學電機系 碩士
1980.1 美國史丹福大學電機系 博士
現(xiàn)職及主要經(jīng)歷2005.6起
國立臺灣大學校長
2006.2起
國立大學校院協(xié)會理事長
2005.6起
亞太大學交流協(xié)會（UMAP）理事長
1986.6起
臺大電機系教授
2002.8-2003.2
美國史丹福大學訪問教授
1996.8-2002.7
臺大教務(wù)長
1989.8-1992.7
臺大電機系系主任
1982.8-1986.5
臺大電機系副教授
1980.8-1982.6
美國ECD公司研究員
相關(guān)經(jīng)歷2001-2004
國科會工程處咨詢委員
1997-2000
國際電機電子工程學會中華民國分會理事
1997-1999
中國電機工程學會監(jiān)事
1996.1-2001
中國工程學刊編輯委員（電子組召集人）
1993.8-1995.7
中華生命電磁科學學會理事長
1992-1994
中國電機工程學會理事
1992.5-1998.2
國科會生物處生物能場召集人
1992.1-2004.12
“Materials Chemistry and Physics”雜志編輯委員
1991.1-1992.12
工研院電子研究所顧問
1991.11-1995.12
亞太科學技術(shù)協(xié)會電氣通訊委員會委員
1988.4-1993.3
國科會工程處微電子小組召集人
1987.8-1989.7
國科會光電小組研究員
1986.8-1989.7
工研院材料所顧問
1983.8-1986.7 工研院能礦所顧問
參與學會國際電機電子工程學會會士 (IEEE Fellow)
中國工程師學會會員
中國電機工程學會會員
中國光電工程學會會員
中華生命電磁學會
曾獲得獎勵及榮譽1984 中國工程師學會論文獎
1986-1996五屆十年國科會杰出研究獎
1987 中山學術(shù)獎（工科）
1987 中國工程師學會優(yōu)秀青年工程師
1995 著作《半導體元件物理》一書獲得第20屆金鼎獎
1996-2002 國科會特約研究人員
1997 亞太材料學院院士
2000 IEEE Third Millennium Medal
2002 IEEE Fellow
2002 電機工程學會獎?wù)?/p>
2003 教育部第47屆學術(shù)獎(工程及應用科學)
2005 日本關(guān)西大學榮譽博士學位
專長領(lǐng)域三五族化合物半導體AlGaAs/InGaAs/GaAs/InAs材料生長及元件制作
非晶硅氫薄膜晶體管及類神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)偵測器
奈米硅線場效晶體管
氣功及人體潛能（特異功能）
李嗣涔_李嗣涔 -研究方向
半導體方面
1. 探討非晶矽氫（氘）及氮（氧）化矽之材料，pin太陽電池、X-光偵測器、類神經(jīng)網(wǎng)路偵測器及多晶矽薄膜電晶體（thin film transistor）之特性，發(fā)展準分子雷射退火技術(shù)及金屬快速誘導多晶矽的制程，提供液晶顯示器(LCD)及有機發(fā)光二極體(OLED)更好的驅(qū)動電晶體及電路。
2. 研制Si/Ge, Si, Ge, GaAs奈米粒子及制作Si/Ge量子點紅外線偵測器。
李嗣涔 講話
3. 研制矽奈米線場效電晶體。
4. 研究InAs/(Al)GaAs量子點及量子環(huán)紅外線偵測器，具有接近室溫操作的特性。
5. 量子點偵測器，可以操作在接近室溫的紅外線(2~30μm)偵測特性。
6. 量子環(huán)偵測器，具有可以提供THz (~300μm)偵測波段的特性。
7. 電漿子熱輻射光源研制紅外線光激二極體、雷射。
相關(guān)論文
發(fā)表著作
相關(guān)出刊書籍
書籍：《半導體元件物理》(ISBN 9571422606)
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