納米電子學(xué)是納米技術(shù)的重要組成部分,其主要思想是基于納米粒子的量子效應(yīng)來設(shè)計(jì)并制備納米量子器件,它包括納米有序(無序)陣列體系、納米微粒與微孔固體組裝體系、納米超結(jié)構(gòu)組裝體系。納米電子學(xué)的最終目標(biāo)是將集成電路進(jìn)一步減小,研制出由單原子或單分子構(gòu)成的在室溫能使用的各種器件。
目前,利用納米電子學(xué)已經(jīng)研制成功各種納米器件。單電子晶體管,紅、綠、藍(lán)三基色可調(diào)諧的納米發(fā)光二極管以及利用納米絲、巨磁阻效應(yīng)制成的超微磁場探測器已經(jīng)問世。并且,具有奇特性能的碳納米管的研制成功,為納米電子學(xué)的發(fā)展起到了關(guān)鍵的作用。
碳納米管是由石墨碳原子層卷曲而成,徑向尺層控制在100nm以下。電子在碳納米管的運(yùn)動(dòng)在徑向上受到限制,表現(xiàn)出典型的量子限制效應(yīng),而在軸向上則不受任何限制。以碳納米管為模子來制備一維半導(dǎo)體量子材料,并不是憑空設(shè)想,清華大學(xué)的范守善教授利用碳納米管,將氣相反應(yīng)限制在納米管內(nèi)進(jìn)行,從而生長出半導(dǎo)體納米線。他們將Si-SiO2混合粉體置于石英管中的坩堝底部,加熱并通入N2。SiO2氣體與N2在碳納米管中反應(yīng)生長出Si3N4納米線,其徑向尺寸為4~40nm。另外,在1997年,他們還制備出了GaN納米線。1998年該科研組與美國斯坦福大學(xué)合作,在國際上首次實(shí)現(xiàn)硅襯底上碳納米管陣列的自組織生長,它將大大推進(jìn)碳納米管在場發(fā)射平面顯示方面的應(yīng)用。其獨(dú)特的電學(xué)性能使碳納米管可用于大規(guī)模集成電路,超導(dǎo)線材等領(lǐng)域。
早在1989年,IBM公司的科學(xué)家就已經(jīng)利用隧道掃描顯微鏡上的探針,成功地移動(dòng)了氙原子,并利用它拼成了IBM三個(gè)字母。日本的Hitachi公司成功研制出單個(gè)電子晶體管,它通過控制單個(gè)電子運(yùn)動(dòng)狀態(tài)完成特定功能,即一個(gè)電子就是一個(gè)具有多功能的器件。另外,日本的NEC研究所已經(jīng)擁有制作100nm以下的精細(xì)量子線結(jié)構(gòu)技術(shù),并在GaAs襯底上,成功制作了具有開關(guān)功能的量子點(diǎn)陣列。目前,美國已研制成功尺寸只有4nm具有開關(guān)特性的納米器件,由激光驅(qū)動(dòng),并且開、關(guān)速度很快。
美國威斯康星大學(xué)已制造出可容納單個(gè)電子的量子點(diǎn)。在一個(gè)針尖上可容納這樣的量子點(diǎn)幾十億個(gè)。利用量子點(diǎn)可制成體積小、耗能少的單電子器件,在微電子和光電子領(lǐng)域?qū)@得廣泛應(yīng)用。此外,若能將幾十億個(gè)量子點(diǎn)連結(jié)起來,每個(gè)量子點(diǎn)的功能相當(dāng)于大腦中的神經(jīng)細(xì)胞,再結(jié)合MEMS(微電子機(jī)械系統(tǒng))方法,它將為研制智能型微型電腦帶來希望。
納米電子學(xué)立足于最新的物理理論和最先進(jìn)的工藝手段,按照全新的理念來構(gòu)造電子系統(tǒng),并開發(fā)物質(zhì)潛在的儲(chǔ)存和處理信息的能力,實(shí)現(xiàn)信息采集和處理能力的革命性突破,納米電子學(xué)將成為對(duì)世紀(jì)信息時(shí)代的核心。
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