愛華網(wǎng)摘要：近日有消息傳出，日本半導(dǎo)體制造商羅姆將投入量產(chǎn)碳化硅（SiC） MOSFET 模組（額定規(guī)格1200V/180A），據(jù)說，這款MOS管模組采用了將功率半導(dǎo)體元件內(nèi)建于碳化硅MOSFET的結(jié)構(gòu)，將額定電流提高至180A,不僅擴(kuò)大了應(yīng)用范圍，還有效協(xié)助各種裝置達(dá)到低功耗及小型化，可適用于工業(yè)裝置、太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器（Powerconditioner）等變流器/轉(zhuǎn)換器（inverter/converter），產(chǎn)品制造地點(diǎn)為ROHM總公司工廠（位于日本京都市），目前已經(jīng)開始樣品出貨，并預(yù)定自12月開始正式量產(chǎn)及出貨。
ROHM于2012年3月正式投入「全碳化硅功率模組」（額定規(guī)格1200V/100A）的量產(chǎn)，此一產(chǎn)品完全使用碳化硅作為功率半導(dǎo)體的元件結(jié)構(gòu)，雖然目前還在工業(yè)裝置應(yīng)用領(lǐng)域推廣中，但市場上極度期盼此類產(chǎn)品既能夠維持小體積同時(shí)又能產(chǎn)生大電流，因此本產(chǎn)品的研發(fā)備受期待。要產(chǎn)生大電流，通常會(huì)采取增加MOSFET的配置數(shù)量等方式，此外，還必須在裝置上加裝二極體等整流元件，因此要維持小型體積十分困難。
為解決本體二極管（Bodydiode）的通電劣化問題，ROHM採用了第2代的碳化硅MOSFET,成功地研發(fā)出不需以二極管作為整流元件的碳化硅功率模組（碳化硅MOSFET模組），藉由增加碳化硅MOSFET的配置面積，讓模組的體積維持不變，并同時(shí)達(dá)成大電流的目標(biāo)。
內(nèi)建碳化硅MOSFET可改善結(jié)晶缺陷相關(guān)的制造與元件結(jié)構(gòu)，因此能成功地克服本體二極管（Bodydiode）等元件在可靠性上的問題。相較于一般轉(zhuǎn)換器所使用的硅質(zhì)IGBT,可減少損耗達(dá)50%以上，除了降低損耗外，還能達(dá)到50kHz以上的高頻，也能使用較小型的周邊零件。
該款MOSFET單體仍維持切換特性，同時(shí)創(chuàng)造出無尾電流、低功耗之切換品質(zhì)，即使不使用肖特基二極管，仍能達(dá)到和傳統(tǒng)產(chǎn)品同級的切換特性，而且不會(huì)產(chǎn)生在硅質(zhì)IGBT上所常見的尾電流，因此可成功降低損耗達(dá)50%以上，有效為裝置的節(jié)能化帶來助益。此外，高達(dá)50kHz以上的切換頻率，也是硅質(zhì)IGBT所無法達(dá)成的，因此就連周邊裝置也能一舉實(shí)現(xiàn)小型化與輕量化的目標(biāo)。
ROHM表示，一般來說，硅質(zhì)IGBT元件無法被逆向?qū)?，而碳化硅MOS管因?yàn)槭潜倔w二極管，因此隨時(shí)可逆向?qū)?。此外，加入閘極訊號后，即可讓MOSFET進(jìn)行逆向?qū)ǎ噍^于只使用二極體的方式，更能夠達(dá)到低電阻目標(biāo)。利用此種逆向?qū)ㄌ匦运苌鰜淼母咝释秸骷夹g(shù)，讓產(chǎn)品即使在1000V以上的電壓時(shí)，也能創(chuàng)造出高于二極管整流方式之絕佳效率。
本體二極管具有通電時(shí)會(huì)使缺陷擴(kuò)大的特性，因此ROHM由製程及元件結(jié)構(gòu)兩方面著手，成功地解決發(fā)生缺陷的塬因。一般產(chǎn)品只要超過20小時(shí)，導(dǎo)通（ON）電阻就會(huì)大幅增加，不過，本產(chǎn)品即使通電時(shí)間超過1000小時(shí)，導(dǎo)通（ON）電阻也不會(huì)增加。
