安培環(huán)路定律，表征恒定磁場基本特征的定律。 它描述磁場強(qiáng)度H的環(huán)路積分特性。在恒定磁場中對(duì)任意閉合環(huán)路l有 (圖1)。安培環(huán)路定律: 磁感應(yīng)場強(qiáng)度矢量沿任意閉合路徑一周的線積分等于真空磁導(dǎo)率乘以穿過閉合路徑所包圍面積的電流代數(shù)和。上式表明，恒定磁場中任一點(diǎn)的磁場強(qiáng)度的旋度僅由該點(diǎn)的傳導(dǎo)電流密度所決定。在時(shí)變電磁場中，安培環(huán)路定律中的Ic應(yīng)擴(kuò)展為全電流，它包括傳導(dǎo)電流與位移電流(D)。電流和回路繞行方向構(gòu)成右手螺旋關(guān)系的取正值，否則取負(fù)值。

安培定律_安培環(huán)路定律 -基本內(nèi)容

(圖1)表明磁場強(qiáng)度H的環(huán)路積分只與環(huán)路所鏈環(huán)的傳導(dǎo)電流Ic有關(guān)，而不含分子電流I┡。但是，這并不意味著H的空間分布與分子電流無關(guān)。安培環(huán)路定律的微分形式為(圖2)。

(圖2)Jc為傳導(dǎo)電流密度。上式表明，恒定磁場中任一點(diǎn)的磁場強(qiáng)度的旋度僅由該點(diǎn)的傳導(dǎo)電流密度所決定。

在時(shí)變電磁場中，安培環(huán)路定律中的Ic應(yīng)擴(kuò)展為全電流，它包括傳導(dǎo)電流與位移電流(D)。而Jc相應(yīng)地也應(yīng)擴(kuò)展為全電流密度J,它包括傳導(dǎo)電流密度與位移電流密度(圖3)。

安培環(huán)路定律: 磁感應(yīng)場強(qiáng)度矢量沿任意閉合路徑一周的線積分等于真空磁導(dǎo)率乘以穿過閉合路徑所包圍面積的電流代數(shù)和。

∮L B*dl =μ0*∑I (L為下標(biāo)，B 與 dl 為矢量)

電流和回路繞行方向構(gòu)成右手螺旋關(guān)系的取正值，否則取負(fù)值。

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