愛華網(wǎng)內(nèi)存的存儲(chǔ)速度用存取一次數(shù)據(jù)的時(shí)間來表示，單位為納秒，記為ns，1秒=10億納秒，即1納秒=10ˉ9秒。Ns值越小，表明存取時(shí)間越短，速度就越快。目前，DDR內(nèi)存的存取時(shí)間一般為6ns，而更快的存儲(chǔ)器多用在顯卡的顯存上，如：5ns、4ns、 3.6ns、 3.3ns、 2.8ns、 等。
2、存儲(chǔ)容量
目前常見的內(nèi)存存儲(chǔ)容量單條為128MB、256MB、512MB，當(dāng)然也有單條1GB的，內(nèi)存，不過其價(jià)格較高，普通用戶少有使用。就目前的行情來看，配機(jī)時(shí)盡時(shí)使用單條256MB以上的內(nèi)存，不要選用兩根128MB的方案。提示：內(nèi)存存儲(chǔ)容量的換算公式為，1GB=1024MB=1024*1024KB
3、CL
CL是CASLstency的縮寫，即CAS延遲時(shí)間，是指內(nèi)存縱向地址脈沖的反應(yīng)時(shí)間，是在一定頻率下衡量不同規(guī)范內(nèi)存的重要標(biāo)志之一。對(duì)于PC1600和PC2100的內(nèi)存來說，其規(guī)定的CL應(yīng)該為2，即他讀取數(shù)據(jù)的延遲時(shí)間是兩個(gè)時(shí)鐘周期。也就是說他必須在CL=2R情況下穩(wěn)寰工作的其工作頻率中。
4、SPD芯片
SPD是一個(gè)8針256字節(jié)的EERROM(可電擦寫可編程只讀存儲(chǔ)器) 芯片.位置一般處在內(nèi)存條正面的右側(cè),里面記錄了諸如內(nèi)存的速度、容量、電壓與行、列地址、帶寬等參數(shù)信息。當(dāng)開機(jī)時(shí)，計(jì)算機(jī)的BIOS將自動(dòng)讀取SPD中記錄的信息。
5、奇偶校驗(yàn)
奇偶校驗(yàn)就是內(nèi)存每一個(gè)字節(jié)外又額外增加了一位作為錯(cuò)誤檢測之用。當(dāng)CPU返回讀顧儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)時(shí)，他會(huì)再次相加前8位中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)，計(jì)算結(jié)果是否與校驗(yàn)相一致。當(dāng)CPU發(fā)現(xiàn)二者不同時(shí)就會(huì)自動(dòng)處理。
6、內(nèi)存帶寬
從內(nèi)存的功能上來看，我們可以將內(nèi)存看作是內(nèi)存控制器（一般位于北橋芯片中）與CPU之間的橋梁或倉庫。顯然，內(nèi)存的存儲(chǔ)容量決定“倉庫”的大小，而內(nèi)存的帶決定“橋梁的寬窄”，兩者缺一不可。提示：內(nèi)存帶寬的確定方式為：B表示帶寬、F表于存儲(chǔ)器時(shí)鐘頻率、D表示存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)總線位數(shù)，則帶寬B=F*D/8
如常見100MHz的SDRAM內(nèi)存的帶寬=100MHz*64bit/8=800MB/秒
常見133MHz的SDRAM內(nèi)存的帶寬133MHz*64bit/8=1064MB/秒內(nèi)存
在計(jì)算機(jī)的組成結(jié)構(gòu)中，有一個(gè)很重要的部分，就是存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)器是用來存儲(chǔ)程序和數(shù)據(jù)的部件，對(duì)于計(jì)算機(jī)來說，有了存儲(chǔ)器，才有記憶功能，才能保證正常工作。存儲(chǔ)器的種類很多，按其用途可分為主存儲(chǔ)器和輔助存儲(chǔ)器，主存儲(chǔ)器又稱內(nèi)存儲(chǔ)器（簡稱內(nèi)存）.內(nèi)存在電腦中起著舉足輕重的作用。內(nèi)存一般采用半導(dǎo)體存儲(chǔ)單元，包括隨機(jī)存儲(chǔ)器（RAM），只讀存儲(chǔ)器（ROM），以及高速緩存（CACHE）。只不過因?yàn)镽AM是其中最重要的存儲(chǔ)器。S（SYSNECRONOUS）DRAM同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器：SDRAM為168腳，這是目前PENTIUM及以上機(jī)型使用的內(nèi)存。SDRAM將CPU與RAM通過一個(gè)相同的時(shí)鐘鎖在一起，使CPU和RAM能夠共享一個(gè)時(shí)鐘周期，以相同的速度同步工作，每一個(gè)時(shí)鐘脈沖的上升沿便開始傳遞數(shù)據(jù)，速度比EDO內(nèi)存提高50%。DDR（DOUBLEDATA RAGE）RAM：SDRAM的更新?lián)Q代產(chǎn)品，他允許在時(shí)鐘脈沖的上升沿和下降沿傳輸數(shù)據(jù)，這樣不需要提高時(shí)鐘的頻率就能加倍提高SDRAM的速度。
●內(nèi)存
內(nèi)存就是存儲(chǔ)程序以及數(shù)據(jù)的地方，比如當(dāng)我們在使用WPS處理文稿時(shí)，當(dāng)你在鍵盤上敲入字符時(shí)，它就被存入內(nèi)存中，當(dāng)你選擇存盤時(shí)，內(nèi)存中的數(shù)據(jù)才會(huì)被存入硬（磁）盤。在進(jìn)一步理解它之前，還應(yīng)認(rèn)識(shí)一下它的物理概念。
●只讀存儲(chǔ)器（ROM）
ROM表示只讀存儲(chǔ)器（Read OnlyMemory），在制造ROM的時(shí)候，信息（數(shù)據(jù)或程序）就被存入并永久保存。這些信息只能讀出，一般不能寫入，即使機(jī)器掉電，這些數(shù)據(jù)也不會(huì)丟失。ROM一般用于存放計(jì)算機(jī)的基本程序和數(shù)據(jù)，如BIOSROM。其物理外形一般是雙列直插式（DIP）的集成塊。
●隨機(jī)存儲(chǔ)器（RAM）
隨機(jī)存儲(chǔ)器（Random AccessMemory）表示既可以從中讀取數(shù)據(jù)，也可以寫入數(shù)據(jù)。當(dāng)機(jī)器電源關(guān)閉時(shí)，存于其中的數(shù)據(jù)就會(huì)丟失。我們通常購買或升級(jí)的內(nèi)存條就是用作電腦的內(nèi)存，內(nèi)存條（SIMM）就是將RAM集成塊集中在一起的一小塊電路板，它插在計(jì)算機(jī)中的內(nèi)存插槽上，以減少RAM集成塊占用的空間。目前市場上常見的內(nèi)存條有128M／條、256M／條、512M／條等。
●高速緩沖存儲(chǔ)器（Cache）
Cache也是我們經(jīng)常遇到的概念，它位于CPU與內(nèi)存之間，是一個(gè)讀寫速度比內(nèi)存更快的存儲(chǔ)器。當(dāng)CPU向內(nèi)存中寫入或讀出數(shù)據(jù)時(shí)，這個(gè)數(shù)據(jù)也被存儲(chǔ)進(jìn)高速緩沖存儲(chǔ)器中。當(dāng)CPU再次需要這些數(shù)據(jù)時(shí)，CPU就從高速緩沖存儲(chǔ)器讀取數(shù)據(jù)，而不是訪問較慢的內(nèi)存，當(dāng)然，如需要的數(shù)據(jù)在Cache中沒有，CPU會(huì)再去讀取內(nèi)存中的數(shù)據(jù)。
當(dāng)你理解了上述概念后，也許你會(huì)問，內(nèi)存就是內(nèi)存，為什么又會(huì)出現(xiàn)各種內(nèi)存名詞，這到底又是怎么回事呢？
在回答這個(gè)問題之前，我們再來看看下面這一段。
物理存儲(chǔ)器和地址空間
物理存儲(chǔ)器和存儲(chǔ)地址空間是兩個(gè)不同的概念。但是由于這兩者有十分密切的關(guān)系，而且兩者都用B、KB、MB、GB來度量其容量大小，因此容易產(chǎn)生認(rèn)識(shí)上的混淆。初學(xué)者弄清這兩個(gè)不同的概念，有助于進(jìn)一步認(rèn)識(shí)內(nèi)存儲(chǔ)器和用好內(nèi)存儲(chǔ)器。
物理存儲(chǔ)器是指實(shí)際存在的具體存儲(chǔ)器芯片。如主板上裝插的內(nèi)存條和裝載有系統(tǒng)的BIOS的ROM芯片，顯示卡上的顯示RAM芯片和裝載顯示BIOS的ROM芯片，以及各種適配卡上的RAM芯片和ROM芯片都是物理存儲(chǔ)器。
存儲(chǔ)地址空間是指對(duì)存儲(chǔ)器編碼（編碼地址）的范圍。所謂編碼就是對(duì)每一個(gè)物理存儲(chǔ)單元（一個(gè)字節(jié)）分配一個(gè)號(hào)碼，通常叫作“編址”。分配一個(gè)號(hào)碼給一個(gè)存儲(chǔ)單元的目的是為了便于找到它，完成數(shù)據(jù)的讀寫，這就是所謂的“尋址”（所以，有人也把地址空間稱為尋址空間）。
地址空間的大小和物理存儲(chǔ)器的大小并不一定相等。舉個(gè)例子來說明這個(gè)問題：某層樓共有17個(gè)房間，其編號(hào)為801～817。這17個(gè)房間是物理的，而其地址空間采用了三位編碼，其范圍是800～899共100個(gè)地址，可見地址空間是大于實(shí)際房間數(shù)量的。
對(duì)于386以上檔次的微機(jī)，其地址總線為32位，因此地址空間可達(dá)232即4GB。但實(shí)際上我們所配置的物理存儲(chǔ)器通常只有1MB、2MB、4MB、8MB、16MB、32MB等，遠(yuǎn)小于地址空間所允許的范圍。
好了，現(xiàn)在可以解釋為什么會(huì)產(chǎn)生諸如：常規(guī)內(nèi)存、保留內(nèi)存、上位內(nèi)存、高端內(nèi)存、擴(kuò)充內(nèi)存和擴(kuò)展內(nèi)存等不同內(nèi)存類型。
各種內(nèi)存概念
這里需要明確的是，我們討論的不同內(nèi)存的概念是建立在尋址空間上的。
IBM推出的第一臺(tái)PC機(jī)采用的CPU是8088芯片，它只有20根地址線，也就是說，它的地址空間是1MB。
PC機(jī)的設(shè)計(jì)師將1MB中的低端640KB用作RAM，供DOS及應(yīng)用程序使用，高端的384KB則保留給ROM、視頻適配卡等系統(tǒng)使用。從此，這個(gè)界限便被確定了下來并且沿用至今。低端的640KB就被稱為常規(guī)內(nèi)存即PC機(jī)的基本RAM區(qū)。保留內(nèi)存中的低128KB是顯示緩沖區(qū)，高64KB是系統(tǒng)BIOS（基本輸入／輸出系統(tǒng)）空間，其余192KB空間留用。從對(duì)應(yīng)的物理存儲(chǔ)器來看，基本內(nèi)存區(qū)只使用了512KB芯片，占用0000至80000這512KB地址。顯示內(nèi)存區(qū)雖有128KB空間，但對(duì)單色顯示器（MDA卡）只需4KB就足夠了，因此只安裝4KB的物理存儲(chǔ)器芯片，占用了B0000至B10000這4KB的空間，如果使用彩色顯示器（CGA卡）需要安裝16KB的物理存儲(chǔ)器，占用B8000至BC000這16KB的空間，可見實(shí)際使用的地址范圍都小于允許使用的地址空間。
在當(dāng)時(shí)（1980年末至1981年初）這么“大”容量的內(nèi)存對(duì)PC機(jī)使用者來說似乎已經(jīng)足夠了，但是隨著程序的不斷增大，圖象和聲音的不斷豐富，以及能訪問更大內(nèi)存空間的新型CPU相繼出現(xiàn)，最初的PC機(jī)和MS－DOS設(shè)計(jì)的局限性變得越來越明顯。
1.什么是擴(kuò)充內(nèi)存？
EMS工作原理
到1984年，即286被普遍接受不久，人們越來越認(rèn)識(shí)到640KB的限制已成為大型程序的障礙，這時(shí)，Intel和Lotus，這兩家硬、軟件的杰出代表，聯(lián)手制定了一個(gè)由硬件和軟件相結(jié)合的方案，此方法使所有PC機(jī)存取640KB以上RAM成為可能。而Microsoft剛推出Windows不久，對(duì)內(nèi)存空間的要求也很高，因此它也及時(shí)加入了該行列。
在1985年初，Lotus、Intel和Microsoft三家共同定義了LIM－EMS，即擴(kuò)充內(nèi)存規(guī)范，通常稱EMS為擴(kuò)充內(nèi)存。當(dāng)時(shí)，EMS需要一個(gè)安裝在I／O槽口的內(nèi)存擴(kuò)充卡和一個(gè)稱為EMS的擴(kuò)充內(nèi)存管理程序方可使用。但是I／O插槽的地址線只有24位（ISA總線），這對(duì)于386以上檔次的32位機(jī)是不能適應(yīng)的。所以，現(xiàn)在已很少使用內(nèi)存擴(kuò)充卡?，F(xiàn)在微機(jī)中的擴(kuò)充內(nèi)存通常是用軟件如DOS中的EMM386把擴(kuò)展內(nèi)存模擬或擴(kuò)充內(nèi)存來使用。所以，擴(kuò)充內(nèi)存和擴(kuò)展內(nèi)存的區(qū)別并不在于其物理存儲(chǔ)器的位置，而在于使用什么方法來讀寫它。下面將作進(jìn)一步介紹。
前面已經(jīng)說過擴(kuò)充存儲(chǔ)器也可以由擴(kuò)展存儲(chǔ)器模擬轉(zhuǎn)換而成。EMS的原理和XMS不同，它采用了頁幀方式。頁幀是在1MB空間中指定一塊64KB空間（通常在保留內(nèi)存區(qū)內(nèi)，但其物理存儲(chǔ)器來自擴(kuò)展存儲(chǔ)器），分為4頁，每頁16KB。EMS存儲(chǔ)器也按16KB分頁，每次可交換4頁內(nèi)容，以此方式可訪問全部EMS存儲(chǔ)器。符合EMS的驅(qū)動(dòng)程序很多，常用的有EMM386.EXE、QEMM、TurboEMS、386MAX等。DOS和Windows中都提供了EMM386.EXE。
2.什么是擴(kuò)展內(nèi)存？
我們知道，286有24位地址線，它可尋址16MB的地址空間，而386有32位地址線，它可尋址高達(dá)4GB的地址空間，為了區(qū)別起見，我們把1MB以上的地址空間稱為擴(kuò)展內(nèi)存XMS（eXtendmemory）。
在386以上檔次的微機(jī)中，有兩種存儲(chǔ)器工作方式，一種稱為實(shí)地址方式或?qū)嵎绞?，另一種稱為保護(hù)方式。在實(shí)方式下，物理地址仍使用20位，所以最大尋址空間為1MB，以便與8086兼容。保護(hù)方式采用32位物理地址，尋址范圍可達(dá)4GB。DOS系統(tǒng)在實(shí)方式下工作，它管理的內(nèi)存空間仍為1MB，因此它不能直接使用擴(kuò)展存儲(chǔ)器。為此，Lotus、Intel、AST及Microsoft公司建立了MS－DOS下擴(kuò)展內(nèi)存的使用標(biāo)準(zhǔn)，即擴(kuò)展內(nèi)存規(guī)范XMS。我們常在Config.sys文件中看到的Himem.sys就是管理擴(kuò)展內(nèi)存的驅(qū)動(dòng)程序。
擴(kuò)展內(nèi)存管理規(guī)范的出現(xiàn)遲于擴(kuò)充內(nèi)存管理規(guī)范。
3.什么是高端內(nèi)存區(qū)？
在實(shí)方式下，內(nèi)存單元的地址可記為：
段地址：段內(nèi)偏移
通常用十六進(jìn)制寫為XXXX：XXXX。實(shí)際的物理地址由段地址左移4位再和段內(nèi)偏移相加而成。若地址各位均為1時(shí)，即為FFFF：FFFF。其實(shí)際物理地址為：FFF0＋FFFF=10FFEF，約為1088KB（少16字節(jié)），這已超過1MB范圍進(jìn)入擴(kuò)展內(nèi)存了。這個(gè)進(jìn)入擴(kuò)展內(nèi)存的區(qū)域約為64KB，是1MB以上空間的第一個(gè)64KB。我們把它稱為高端內(nèi)存區(qū)HMA（HighMemoryArea）。HMA的物理存儲(chǔ)器是由擴(kuò)展存儲(chǔ)器取得的。因此要使用HMA，必須要有物理的擴(kuò)展存儲(chǔ)器存在。此外HMA的建立和使用還需要XMS驅(qū)動(dòng)程序HIMEM.SYS的支持，因此只有裝入了HIMEM.SYS之后才能使用HMA。
4.什么是上位內(nèi)存？
為了解釋上位內(nèi)存的概念，我們還得回過頭看看保留內(nèi)存區(qū)。保留內(nèi)存區(qū)是指640KB～1024KB（共384KB）區(qū)域。這部分區(qū)域在PC誕生之初就明確是保留給系統(tǒng)使用的，用戶程序無法插足。但這部分空間并沒有充分使用，因此大家都想對(duì)剩余的部分打主意，分一塊地址空間（注意：是地址空間，而不是物理存儲(chǔ)器）來使用。于是就得到了又一塊內(nèi)存區(qū)域UMB。
UMB（Upper MemoryBlocks）稱為上位內(nèi)存或上位內(nèi)存塊。它是由擠占保留內(nèi)存中剩余未用的空間而產(chǎn)生的，它的物理存儲(chǔ)器仍然取自物理的擴(kuò)展存儲(chǔ)器，它的管理驅(qū)動(dòng)程序是EMS驅(qū)動(dòng)程序。
5.什么是SHADOW（影子）內(nèi)存？
對(duì)于細(xì)心的讀者，可能還會(huì)發(fā)現(xiàn)一個(gè)問題：即是對(duì)于裝有1MB或1MB以上物理存儲(chǔ)器的機(jī)器，其640KB～1024KB這部分物理存儲(chǔ)器如何使用的問題。由于這部分地址空間已分配為系統(tǒng)使用，所以不能再重復(fù)使用。為了利用這部分物理存儲(chǔ)器，在某些386系統(tǒng)中，提供了一個(gè)重定位功能，即把這部分物理存儲(chǔ)器的地址重定位為1024KB～1408KB。這樣，這部分物理存儲(chǔ)器就變成了擴(kuò)展存儲(chǔ)器，當(dāng)然可以使用了。但這種重定位功能在當(dāng)今高檔機(jī)器中不再使用，而把這部分物理存儲(chǔ)器保留作為Shadow存儲(chǔ)器。Shadow存儲(chǔ)器可以占據(jù)的地址空間與對(duì)應(yīng)的ROM是相同的。Shadow由RAM組成，其速度大大高于ROM。當(dāng)把ROM中的內(nèi)容（各種BIOS程序）裝入相同地址的ShadowRAM中，就可以從RAM中訪問BIOS，而不必再訪問ROM。這樣將大大提高系統(tǒng)性能。因此在設(shè)置CMOS參數(shù)時(shí)，應(yīng)將相應(yīng)的Shadow區(qū)設(shè)為允許使用（Enabled）。
6、什么是奇/偶校驗(yàn)？
奇/偶校驗(yàn)（ECC）是數(shù)據(jù)傳送時(shí)采用的一種校正數(shù)據(jù)錯(cuò)誤的一種方式，分為奇校驗(yàn)和偶校驗(yàn)兩種。
如果是采用奇校驗(yàn)，在傳送每一個(gè)字節(jié)的時(shí)候另外附加一位作為校驗(yàn)位，當(dāng)實(shí)際數(shù)據(jù)中“1”的個(gè)數(shù)為偶數(shù)的時(shí)候，這個(gè)校驗(yàn)位就是“1”，否則這個(gè)校驗(yàn)位就是“0”，這樣就可以保證傳送數(shù)據(jù)滿足奇校驗(yàn)的要求。在接收方收到數(shù)據(jù)時(shí)，將按照奇校驗(yàn)的要求檢測數(shù)據(jù)中“1”的個(gè)數(shù)，如果是奇數(shù)，表示傳送正確，否則表示傳送錯(cuò)誤。
同理偶校驗(yàn)的過程和奇校驗(yàn)的過程一樣，只是檢測數(shù)據(jù)中“1”的個(gè)數(shù)為偶數(shù)。
總 結(jié)
經(jīng)過上面分析，內(nèi)存儲(chǔ)器的劃分可歸納如下：
●基本內(nèi)存 占據(jù)0～640KB地址空間。
●保留內(nèi)存占據(jù)640KB～1024KB地址空間。分配給顯示緩沖存儲(chǔ)器、各適配卡上的ROM和系統(tǒng)ROMBIOS，剩余空間可作上位內(nèi)存UMB。UMB的物理存儲(chǔ)器取自物理擴(kuò)展存儲(chǔ)器。此范圍的物理RAM可作為ShadowRAM使用。
●上位內(nèi)存（UMB）利用保留內(nèi)存中未分配使用的地址空間建立，其物理存儲(chǔ)器由物理擴(kuò)展存儲(chǔ)器取得。UMB由EMS管理，其大小可由EMS驅(qū)動(dòng)程序設(shè)定。
●高端內(nèi)存（HMA）擴(kuò)展內(nèi)存中的第一個(gè)64KB區(qū)域（1024KB～1088KB）。由HIMEM.SYS建立和管理。
●XMS內(nèi)存符合XMS規(guī)范管理的擴(kuò)展內(nèi)存區(qū)。其驅(qū)動(dòng)程序?yàn)镠IMEM.SYS。
●EMS內(nèi)存符合EMS規(guī)范管理的擴(kuò)充內(nèi)存區(qū)。其驅(qū)動(dòng)程序?yàn)镋MM386.EXE等。
我們在配電腦的時(shí)候一般只是注意內(nèi)存的容量和內(nèi)存的性能指標(biāo)，例DDR266,DDR333之類的。但是你知道嗎，同樣的內(nèi)存根據(jù)他的品牌，出廠時(shí)間以及批號(hào)不同，它具有著不同的性能和穩(wěn)定性，本文將著重和您探討不同品牌內(nèi)存之間的性能和穩(wěn)定性的差異以及同品牌但批號(hào)不同的內(nèi)存的性能差異。另外，本文還將重點(diǎn)涉及內(nèi)存的制假和售假的方法。將向您徹底揭露正品內(nèi)存和深圳“油條”的鑒別方法。(什么是油條？這里不賣豆?jié){，下文中將相信向您講授油條的做法)
鑒于SDRAM已經(jīng)走到了生命的盡頭，即將完全脫出市場，RDRAM應(yīng)用不廣DDRII內(nèi)存還未量產(chǎn)。所以本文將只涉及市場主流的DDR內(nèi)存。
我們先來說一下內(nèi)存的基本知識(shí)，歸納成一句話就是：什么是內(nèi)存？
內(nèi)存就是隨機(jī)存貯器（Random AccessMemory，簡稱為RAM）。RAM分成兩大類：靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，即Static RAM（SRAM）和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，DynamicRAM（DRAM），我們經(jīng)常說的“系統(tǒng)內(nèi)存”就是指后者，DRAM。
SRAM是一種重要的內(nèi)存，它的用途廣泛，被應(yīng)用在各個(gè)領(lǐng)域。SRAM的速度非?？?，在快速讀取和刷新時(shí)可以保持?jǐn)?shù)據(jù)完整性，即保持?jǐn)?shù)據(jù)不丟失。SRAM內(nèi)部采用的是雙穩(wěn)態(tài)電路的形式來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，為了實(shí)現(xiàn)這種結(jié)構(gòu)，SRAM的電路結(jié)構(gòu)非常復(fù)雜，往往要采用大量的晶體管來構(gòu)造寄存器以保留數(shù)據(jù)。采用大量的晶體管就需要大量的硅，因此就增加了芯片的面積，無形中增加了制造成本。制造相同容量的SRAM比DRAM的成本貴許多，因此，SRAM在PC平臺(tái)上就只能用于CPU內(nèi)部的一級(jí)緩存以及內(nèi)置的二級(jí)緩存。而我們所說的“系統(tǒng)內(nèi)存”使用的應(yīng)該是DRAM。由于SRAM的成本昂貴，其發(fā)展受到了嚴(yán)重的限制，目前僅有少量的網(wǎng)絡(luò)服務(wù)器以及路由器上使用了SRAM。
DRAM的應(yīng)用比SRAM要廣泛多了。DRAM的結(jié)構(gòu)較SRAM要簡單許多，它的內(nèi)部僅僅由一個(gè)MOS管和一個(gè)電容組成，因此，無論是集成度、生產(chǎn)成本以及體積，DRAM都比SRAM具有優(yōu)勢。目前，隨著PC機(jī)的不斷發(fā)展，我們對(duì)于系統(tǒng)內(nèi)存的要求越來越大，隨著WindowXP的推出，軟件對(duì)于內(nèi)存的依賴更加明顯：在WindowsXP中，專業(yè)版至少需要180MB內(nèi)存以上，而在實(shí)際使用中，128MB才能保證系統(tǒng)正常運(yùn)行。因此，隨著PC的發(fā)展，內(nèi)存的容量將不斷擴(kuò)大，速度也會(huì)不斷提升。
好了，下面我們在來說一下內(nèi)存的速度問題。我們選擇內(nèi)存的速度，決定于你選用CPU的前端總線，例如你用的是P4A那你不需要用DDR400才能滿足3.2G帶寬得需要因?yàn)镻4A的前端總線是400MHZ，普通得DDR266能夠提供2。1GB的帶寬，此種內(nèi)存適用于ATHLONXP低頻以及毒龍等中低端配置.已經(jīng)不在主流市場之內(nèi)。DDR333能夠提供2.7GB的內(nèi)存帶寬適用于AMD166MHZ外頻的巴頓處理器。而DDR400內(nèi)存以及DDR433DDR450內(nèi)存將能夠提供3.2GB以上的內(nèi)存帶寬，主要應(yīng)用在INTEL高端的P4CP4E上以及ATHLON64上面。當(dāng)然，上文所述的僅僅是能夠滿足硬件系統(tǒng)的最低要求，由于p4的前端總線的提高,內(nèi)存和CPU之間瓶頸問題已經(jīng)十分嚴(yán)重,新的內(nèi)竄技術(shù)必將產(chǎn)生.例如我們后面簡要介紹到的雙通道DDR和未來的DDR內(nèi)存.當(dāng)然,如果您擁有一顆像毒龍1.6G，ATHLONXP1800+(b01.5V低壓版)，P41.8A ，AthlonXP2000+ ，P42.4C巴頓2500+這樣的具有極品超品潛力的CPU那么我推薦您購買高一個(gè)性能檔次的內(nèi)存，例如Athlon2000+配合DDR333的內(nèi)存，這樣基本所有的巴頓2000+都可以超到2500+使用，市場上的假2500+就是用2000+超頻而來的。
在WINXP系統(tǒng)的實(shí)際應(yīng)用中，我們提出一個(gè)不規(guī)范的公式
內(nèi)存容量〉內(nèi)存速度〉內(nèi)存類型也就是說就算是SD256M內(nèi)存也比128M的DDR400系統(tǒng)速度快，在選購內(nèi)存的時(shí)候，我們建議XP系統(tǒng)應(yīng)該配備384M以上的內(nèi)存，才能保證系統(tǒng)的快速運(yùn)行。
下面我們在來說說內(nèi)存的品牌差異
熟悉電腦的朋友們都知道，我們經(jīng)常用到的內(nèi)存品牌有：海盜船 Kingsotne Kingmax 宇詹南方高科三星 HY 雜牌中用的顆粒編號(hào)較多的是EACH的以及KingsMANKingRAM等等。海盜船內(nèi)存主要用于服務(wù)器，我們大家在購買電腦的時(shí)候，在資金比較寬裕的情況下，我們推薦Kingstone的VALUERAM盒裝內(nèi)存，以及宇詹盒裝內(nèi)存（建議購買英飛凌顆粒的）這兩種內(nèi)存提供內(nèi)存的終身質(zhì)保，大家完全可以放心使用，如果資金不是很寬裕，建議購買HY的內(nèi)存，經(jīng)實(shí)踐證明HY的內(nèi)存的兼容性在所有的內(nèi)存中首屈一指。但是，HY的內(nèi)存假貨泛濫，關(guān)于其造假及售假方法將在下文中提到。如果你要購買HY的內(nèi)存，那我建議您一定要買富豪代理或者金霞代理的盒裝正品。如果貪圖便宜選擇散裝條子，那就要考考您的眼力了?；旧?，我們不推薦您購買雜牌內(nèi)存，雜牌內(nèi)存在使用壽命和質(zhì)保上都不能令人滿意，最后說一下Kingmax內(nèi)存我們之所以不推薦，就是因?yàn)镵ingmax內(nèi)存與某些主板的兼容性不是很好但其自身的品質(zhì)和性能絕對(duì)也是一流的。我們希望您在購買的時(shí)候一定要試試，看有沒有兼容性問題。
下面我們來說一下相同品牌內(nèi)存的選購。讓我來為大家解讀一些品牌內(nèi)存的顆粒編號(hào)含義：
HY XX X XX XX XX X X X XX - XX
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11? 12
這個(gè)是市場上流行的現(xiàn)代內(nèi)存的標(biāo)號(hào)。對(duì)應(yīng)位置上1:不用我說你也看出來了當(dāng)然是代表HY生產(chǎn)的顆粒嘍2：內(nèi)存芯片類型：5D ：DDR SDRAMS 3：工藝與工作電壓V ：CMOS，3.3V U : CMOS, 2.5V4：芯片容量和刷新速率： 64 :64m, 4kref 66 :64m, 2kref 28 :128m,4kref 56:256m,8kref 12 :512m,8kref 5: 芯片結(jié)構(gòu)（數(shù)據(jù)寬度）4：X4（數(shù)據(jù)寬度4bit 下同) 8 :x8 16:x16 32 :x32 6：BANK數(shù)量： 1 :2BANKS 2 :4BANKS 7：I/O界面： 1 :SSTL_3 2:SSTL_2 8：芯片內(nèi)核版本： 空白:第一代 A :第二代 B :第三代 C :第四代 9：能量等級(jí)： 空白 :普通 L :低能耗10：封裝形式： T :TSOP Q :TQFP L :CSP(LF-CSP) F :FBGA 11：工作速度： 33 :300NHZ4 :250MHZ 43 :233MHZ 45 :222MHZ 5 :200MHZ 55 :183MHZ K :DDR266A H:DDR266B L :DDR200
我們再來看一下Kingstone內(nèi)存的標(biāo)號(hào)方法.
kvr *** X ** * c* /***
1 2 3 4 5 6 78
1.KVR代表kingston valueRAM 2.外頻速度3.一般為X4.64為沒有ECC；72代表有ECC5.有S字符表示筆記本專用內(nèi)存，沒有S字符表示普通的臺(tái)式機(jī)或是服務(wù)器內(nèi)存6.3：CAS=3；2.5：CAS=2.5；2：CAS=27.分隔符號(hào)8.內(nèi)存的容量
我們以金士頓ValueRAMDDR內(nèi)存編號(hào)為例：編號(hào)為ValueRAM KVR400X64C25/256這條內(nèi)存就是。金士頓ValueRAM外頻400MHZ不帶有ECC校驗(yàn)的CAS=2.5的256M內(nèi)存
我想通過以上的方法，更能方便大家對(duì)于內(nèi)存的理解和選購。接下來我在強(qiáng)調(diào)一些有關(guān)內(nèi)存的常見問題：
1.內(nèi)存的單面與雙面，單Bank與雙Bank的區(qū)別？
單面內(nèi)存與雙面內(nèi)存的區(qū)別在于單面內(nèi)存的內(nèi)存芯片都在同一面上，而雙面內(nèi)存的內(nèi)存芯片分布在兩面。而單Bank與雙Bank的區(qū)別就不同了。Bank從物理上理解為北橋芯片到內(nèi)存的通道，通常每個(gè)通道為64bit。一塊主板的性能優(yōu)劣主要取決于它的芯片組。不同的芯片組所支持的Bank是不同的。如Intel82845系列芯片組支持4個(gè)Bank，而SiS的645系列芯片組則能支持6個(gè)Bank。如果主板只支持4個(gè)Bank，而我們卻用6個(gè)Bank的話，那多余的2個(gè)Bank就白白地浪費(fèi)了。雙面不一定是雙Bank，也有可能是單Bank，這一點(diǎn)要注意。
2.內(nèi)存的2-2-3通常是什么意思？
這些電腦硬件文章經(jīng)常出現(xiàn)的參數(shù)就是在主板的BIOS里面關(guān)于內(nèi)存參數(shù)的設(shè)置了。通常說的2-2-3按順序說的是tRP(Timeof Row Precharge)，tRCD(Time of RAS to CAS Delay)和CL(CASLatency)。tRP為RAS預(yù)充電時(shí)間，數(shù)值越小越好；tRCD是RAS到CAS的延遲，數(shù)值越小越好；CL(CASLatency)為CAS的延遲時(shí)間，這是縱向地址脈沖的反應(yīng)時(shí)間，也是在一定頻率下衡量支持不同規(guī)范的內(nèi)存的重要標(biāo)志之一。
3.內(nèi)存的雙通道技術(shù)和單通道有什么不同？
什么是雙通道DDR技術(shù)呢？需要說明的是，它并非我前面提到的D D R I I，而是一種可以讓2條DD R內(nèi)存共同使用，數(shù)據(jù)并行傳輸?shù)募夹g(shù)。雙通道DDR技術(shù)的優(yōu)勢在于，它可以讓內(nèi)存帶寬在原來的基礎(chǔ)上增加一倍，這對(duì)于P4處理器的好處可謂不言而喻。400M H z 前端總線的P 4 A處理器和主板傳輸數(shù)據(jù)的帶寬為3.2G B /s，而533 M Hz前端總線的P4B處理器更是達(dá)到了4.3G B/s，而P4C處理器更是達(dá)到了800MHZ 前端總線從而需要6. 4G的內(nèi)存帶寬。但是目前除了I850E支持的R ambus P C1066規(guī)范外，根本沒有內(nèi)存可以滿足處理器的需要，我們最常用的DDR333本身僅具有2.7G B/s的帶寬。DDR400也只能提供3.2G/s的帶寬。也就是說，如果我們搭建雙通道DDR400的內(nèi)存，理論上提供2倍DDR400的帶寬。將從而根本的解決了CPU和內(nèi)存之間的瓶頸問題。
4.DDR-Ⅱ和現(xiàn)在的DDR內(nèi)存有什么不同？
DDR-II內(nèi)存是相對(duì)于現(xiàn)在主流的DDR-I內(nèi)存而言的，它們的工作時(shí)鐘預(yù)計(jì)將為400MHz或更高。主流內(nèi)存市場將從現(xiàn)在的DDR-333產(chǎn)品直接過渡到DDR-II。DDR-II內(nèi)存將采用0.13微米工藝，
容量為18MB/36MB/72MB，最大288MB，字節(jié)架構(gòu)為X8、X18、X36，讀取反應(yīng)時(shí)間為2.5個(gè)時(shí)鐘周期(此段由于SOHU禁詞限制，發(fā)不了）
最后，我將為大家講授內(nèi)存的造假售假方法。（以下文字未經(jīng)內(nèi)存廠商證實(shí)，僅僅為筆者長時(shí)間的經(jīng)驗(yàn)積累，不承擔(dān)相應(yīng)的法律責(zé)任，特此聲明）
現(xiàn)在的假貨內(nèi)存主要集中在HY普通條子和某些大廠內(nèi)存（例如這段時(shí)間沸沸揚(yáng)揚(yáng)的Kingmax）上面。這里面，大廠的內(nèi)存條比較容易識(shí)別，一般來講，大廠盒裝的正品內(nèi)存在他的內(nèi)存顆?；蛘逷CB上都會(huì)有廠商的鐳射防偽標(biāo)簽，內(nèi)存標(biāo)簽清晰，字體規(guī)范，Kingmax等品牌內(nèi)存還帶有800免費(fèi)的防偽咨詢電話，現(xiàn)場打電話就可以辨別內(nèi)存的真?zhèn)?。因?yàn)榇髲S的內(nèi)存價(jià)格相對(duì)透明，因此你在購買內(nèi)存的時(shí)候只要不貪圖便宜，就應(yīng)該可以買到正品大廠內(nèi)存。而現(xiàn)在最難鑒別的就是HY的內(nèi)存，據(jù)筆者調(diào)查，現(xiàn)在市場上50%以上的HY散裝內(nèi)存都是假貨，但是，假貨也分檔次。比較有“良心”的假貨就是我們通常所說的REMARK（打磨）最常見的就是將HY的內(nèi)存顆粒表面用有機(jī)溶劑清洗，再標(biāo)上更高內(nèi)存性能的編號(hào)，例如將DDR266的內(nèi)存打磨成DDR333的內(nèi)存出售或者打磨成Kingstone，Kingmax等大廠的內(nèi)存出售，謀取利益。這樣的內(nèi)存在容量上沒有問題，但是因?yàn)橐话愣际窃诔瑯?biāo)準(zhǔn)頻率下使用，必然導(dǎo)致系統(tǒng)的不穩(wěn)定。這種內(nèi)存一般很好辨別，只要用手搓內(nèi)存顆粒表面，用指甲刮，就能輕易的將表面的字跡去除，從而辨別真假。但是，一些手段比較高明的造假者，做出來的內(nèi)存表面進(jìn)行了特殊處理，讓你不能夠輕易的抹除字跡。對(duì)于這種內(nèi)存，就要考考您的眼力了。一般說來，正品的內(nèi)存字跡都是激光“刻”印在內(nèi)存顆粒上的，會(huì)在內(nèi)存顆粒上留下痕跡，打磨內(nèi)存的奸商必然覆蓋這些痕跡，看上去字體不是那么的規(guī)范，字的大小也不是很一致。字體的邊角不夠圓滑。辨別類似的內(nèi)存，就需要一些久經(jīng)殺場的老鳥了。下面我將告訴大家一種最為狠毒的制假方法，那就是本文開頭提到的“油條”了。我先簡要講述一下此種內(nèi)存的制作“工藝”。這種內(nèi)存主要生長在我國南部省份，以深圳為甚。首先，不法奸商用極其低廉的價(jià)格（1000元人民幣一噸）收購國外運(yùn)來的洋垃圾，或者是在中國市場上幾乎可以不計(jì)成本的收購已經(jīng)燒掉或者損壞的內(nèi)存條，將這些內(nèi)存放到一個(gè)大油鍋里面煮，去掉焊錫，清除焊點(diǎn)和內(nèi)存表面的字跡。然后用香蕉水（劇毒，有強(qiáng)烈刺激氣味）進(jìn)行清洗。然后，挑出相同的芯片重新焊在PCB上，再標(biāo)上內(nèi)存編號(hào)進(jìn)行銷售，這樣的內(nèi)存千條采購價(jià)格以256M為例只有120元左右?？梢哉f相當(dāng)具有“性價(jià)比”，從而成為不法奸商們手中的“極品”以牟取暴利。這種內(nèi)存可以說是性能和穩(wěn)定性皆無。但是，我們不得不佩服中國人的制假方法，他們把這種內(nèi)存做的和HY內(nèi)存一模一樣，只是內(nèi)存PCB顏色看上去有些許的不均勻。但是，這種內(nèi)存基本上還是很好辨別，大家在購買內(nèi)存的時(shí)候，不要只看內(nèi)存的表面字跡，應(yīng)該注意一下內(nèi)存顆粒右下角的內(nèi)存編號(hào)一般都是數(shù)字例如56787之類的，這種內(nèi)存由于大批量處理，一般在一條內(nèi)存上你會(huì)發(fā)現(xiàn)有2種甚至更多種的內(nèi)存顆粒只要抓住這點(diǎn)，基本上可以識(shí)別出這種假貨內(nèi)存，另外，我們還可以聞一下內(nèi)存，都會(huì)有一些余味（香蕉水的味道）.
最后，奉勸您在購買內(nèi)存的過程中，不要貪圖幾十元的小便宜，而為您的系統(tǒng)帶來不穩(wěn)定甚至導(dǎo)致整機(jī)的故障。希望通過本文，能夠?qū)δ趦?nèi)存的選購方面有所幫助。希望大家都能夠買到穩(wěn)定性能一流的內(nèi)存
